М.А. Гоник Выращивание монокристаллов в строго контролируемых тепловых условиях // Вестник Чувашского государственного педагогического университета им. И. Я. Яковлева. Серия: Механика предельного состояния. 2020. № 2(44). C.162-162
Автор(ы):
М.А. Гоник
Индекс(ы) УДК:
539.374
Индекс(ы) DOI:
10.37972/chgpu.2020.44.2.017
Название статьи:
Выращивание монокристаллов в строго контролируемых тепловых условиях
Ключевые слова:
Аннотация:
В представленной работе рассматривается установление основных закономерностей формирования совершенных по структуре и однородных по составу кристаллов, а также разработка физико-технологических основ выращивания монокристаллов широкого класса материалов из тонкого слоя расплава методом осевого теплового потока на фронте кристаллизации (ОТФ методом). Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: исследование численными методами тепло– и массопереноса при росте кристаллов; обеспечение расчетов теплофизическими данными о кристалле и его расплаве; проектирование и изготовление оборудования для выращивания кристаллов и изучения закономерностей формирования их структуры; разработка автоматической системы, обеспечивающей создание необходимых тепловых условий при росте кристаллов и их поддержание в течение всего цикла кристаллизации; изучение особенностей выращивания кристаллов с использованием погруженного в расплав нагревателя.