В представленной работе рассматривается установление основных закономерностей формирования совершенных по структуре и однородных по составу кристаллов, а также разработка физико-технологических основ выращивания монокристаллов широкого класса материалов из тонкого слоя расплава методом осевого теплового потока на фронте кристаллизации (ОТФ методом). Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: исследование численными методами тепло– и массопереноса при росте кристаллов; обеспечение расчетов теплофизическими данными о кристалле и его расплаве; проектирование и изготовление оборудования для выращивания кристаллов и изучения закономерностей формирования их структуры; разработка автоматической системы, обеспечивающей создание необходимых тепловых условий при росте кристаллов и их поддержание в течение всего цикла кристаллизации; изучение особенностей выращивания кристаллов с использованием погруженного в расплав нагревателя.